产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
FDG6332C PDF |
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产品培训模块 |
High Voltage Switches for Power Processing
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产品变化通告 |
Mold Compound Change 12/Dec/2007
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产品目录绘图 |
MOSFET SC70-6 Pkg
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标准包装 |
1 |
系列 |
PowerTrench® |
FET 型 |
N 和 P 沟道
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
20V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
700mA,600mA
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1.5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
1.5nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
113pF @ 10V
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功率 - 最大 |
300mW
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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供应商设备封装 |
SC-70-6
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1608 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
FDG6332CCT
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